納米氧化鋅材料光學特性的研究歷史可以追溯到1950年代，但是直到1997年，日本和香港的科學家才在室溫下實現了光泵浦的Zn0薄膜紫外激光器，從而重新研究了ZnO材料的光學特性。該材料的光學性質。它引起了人們的關注，并迅速成為半導體激光器件研究中的國際新熱點。當前的研究正在朝著諸如紫外線，藍色和綠色的各種波長的發光器件的發展方向發展。研究表明，Zno發光可分為兩類：近帶邊緣紫外發射（NBE）和深能級發射（DI。）。紫外線（UV）發射的機理已被認為是從近導帶到價帶的激子躍遷。其中，紫外線發射峰是ZnO的激子發射?？梢姽獍l射中心仍然有很多爭議。認為可見光發射來自不同的缺陷和雜質。其中，缺陷發光包括點缺陷發光（例如氧空位，zn空位，氧間隙，Zn間隙和氧反轉）和結構缺陷發光（例如晶格失配，晶界和晶粒取向等）。通常認為光是由表面缺陷引起的過渡發光。藍光被認為是由整體缺陷引起的過渡發光。

        納米氧化鋅材料在發光器件中的應用

        由于其高效率和節能特性，發光二極管可以成為替代傳統白熾燈和熒光燈的新一代光源。 Zn0是繼GaN之后最有前途的光電材料。如何將一維ZnO納米材料更好地應用于發光二極管領域成為當前研究的熱點。目前，已經實現了室溫下ZnO納米線，納米帶等的紫外光發射。西北大學材料研究中心已經在室溫下準備了近紫外泵浦光子晶體激光器。中國科學院長春光學精密機械與物理研究所激發態國家重點實驗室研究組已經在藍寶石襯底上制備了Zn（）發光二極管。許衛中L“ -I用M（）OVD方法成功制備了具有典型二極管整流IV特性的Zn（）均質LED，其導通電壓約為2.3V。最近，郭洪輝采用了電化學方法。納米棒發光二極管的發光效率，用于調節一維納米ZnO材料的電致發光光譜；制備r Zn（）納米棒膜，ZnO納米棒和聚3-甲基methyl烯復合膜以及Zn（）納米棒與CuS（2N）分別構建了復合膜和納米管膜，ZnO納米棒發光二極管，ZnO納米管發光二極管和納米棒發光二極管，研究了它們的電致發光性能和自發光特性。

        ZnO材料場致發光研究

        在研究Zn（）同質結器件時，還實現了電致發光。據報道。日本研究人員已經使用由均質p-n結制成的半導體激光器實現了藍色紫外電致發光。 2008年，加利福尼亞大學Chu等人。在Zn襯底上使用ZnO和Mg（）Zn（）量子阱結構制備了基于Zn（）的I。 D，并在室溫下實現了低閾值的激光發射。該裝置的成功制備使人們看到了納米氧化鋅發光管和電動泵浦激光器的廣闊發展前景。 2“。為了全面研究ZnO納米棒的異質結電致發光并改善其高肩亮電壓，低亮度和不純光譜等缺點= 2”，Peng Zhi 2釓使用高分子材料MEH-PPV和ZnO納米棒陣列形成了納米材料和有機物的復合系統，獲得了理想的380nm紫外電致發光和580hm的一些背景光。分析了不同電壓下紫外光發射和背景光影響的原因。目前，許多研究小組一直在研究Zn（）在固態照明中的應用。 ZnO發光仍在使用光泵浦。 ZnO UV電致發光的研究仍然具有挑戰性。